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      SiC激光退火设备

      SiC激光退火设备

      产品特点 1.整机模块化设计与集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圆；
      2.集成自研成熟先进激光整形技术，光斑能量高度均匀、稳定；
      3.退火后表面均匀、平整，优秀的电学特性及表面形貌特征表现；
      4.严格控制腔体含氧量，有效控制表面碳析出量和分布；
      5.配置监控与补偿系统，监测光学能量稳定性和非退火面温度；
      6.配备EFEM传输系统，整机符合SEMI标准，支持SECS-GEM通信。

      产品应用

      适用于对重掺杂碳化硅（SiC）表面沉积的过渡金属进行退火，形成良好的欧姆接触。


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      产品参数

      可加工品圆尺寸
      		4inch、6inch、8inch
      薄片退火支持
      光斑整形平顶光
      光斑均匀性>95%
      能量稳定性≤1%
      比电阻接触率≤5×10^(-5)Ω.cm²
      表面温度Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
      腔体含氧量N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s
      运动平台精度

      直线度：±1μm

      重复定位精度：±1μm

      品圆传输

      Automatic transferring

      (compatible to wafer or wafer/w carrier)


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