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      LPCVD 镀膜机

      LPCVD 镀膜机

      产品特点 1.成热的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术:
      2.具备多种镀膜技术:多层复合膜,掺杂多晶硅技术;
      3.专利快速降温炉体:最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度,降温速率提升25%以上,明显提升炉管内温度均匀性;
      4.快速自适应压力闭环控制技术;
      5.架构完整,性能突出的MES/CCRM系统;
      6.一体化工控机+模块化工艺控制软件;
      7.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

      产品应用

      适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon工艺电池,LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备。热氧和淀积Poly层两个工艺合二为一能够大幅度提高产能,同时兼容i/d -Poly生长工艺。

      产品参数

          项目

       技术指标

      成膜种类

      SiOx, i/d-Poly-Si

      装片尺寸

      垂直装片方式:2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)

      膜厚均匀性

      Si0x均匀性:厚度1-3nm可调,精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度;
        Poly均匀性:厚度50-200nm可调,精度1nm,用抛光片测试Poly厚度,片内:≤4%,;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)

      UP-TIME

      ≥95%

                                   工作温度范围                              

      400-750

      温度控制

      6点控温,内外双模控制

                                         升温方式                                 

      自动斜率升温及快速恒温功能

      降温方式

      最新专利技术,6温区分段控制主动降温炉体

                           恒温区精度及长度                         

      ±1℃/2800mm(550-700℃)

      单点温度稳定度

      1±℃/6H

      升温时间

      RT→750℃≤45min

      降温速率

      ≥5℃/min

                                         温度控制                                     

      双模精确控制

       系统极限真空度

      <3Pa

          系统漏气率      

      停泵关阀后压力升率<2Pa/min

      压力控制方式

      快速调整全自动闭环

                               工艺控制式                       

      工艺过程全自动控制,多重安全连锁报警

      人机交互界面

      LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

      MES/CCRM

      具有


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